攻克300+堆叠难关 35名SK海力士工程师联名提交论文 你知道吗？

35名SK海力士工程师联名提交论文实现300+堆叠难关

闪存芯片的进化方向非常明确，那就是通过更多层地堆叠来实现更快的读写速度，同时提高单位面积的存储容量，降低存储成本。

在ISSCC 2023期间，35名SK海力士工程师联名提交了论文，详细阐述了他们是如何攻克300+堆叠的难关。

通过运用TPGM(三重验证编程)、AUSP(自适应未选串预给电)、PDS(被编程假字符串)、APR以及PLRR(平面级读取重试)等五项技术，他们实现了超过300层的TLC颗粒堆叠。

这颗1Tb容量的TLC 3D闪存(3bit/Cell)达到了惊人的20Gb/mm2容量密度，写入速度更是狂飙到194MB/s创纪录。

按计划，SK海力士的300+层TLC将在2024年量产商用。

关键词： 闪存芯片 存储容量 存储成本独立显卡